与韩国G公司GaN紫外传感器产品的性能比较

1.     对比器件型号

GS-AB-2835SGaN紫外传感器(SMD2835封装)

韩国G公司:GUVA-S12SDGaN紫外传感器 (SMD3528封装)

2.     响应度对比

 

对比结果:

1).   镓芯光电的GS-AB-2835S型紫外传感器在UVAUVB波段具有更高的响应度(responsivisity),更加适合日照紫外线指数的测量;

2).   镓芯光电紫外传感器的紫外光/可见光抑制比(rejection ratio)相比于韩国G公司产品高出一个数量级,说明镓芯光电的紫外传感器产品不易受到背景可见光的影响,具有更高的信噪比。

3.     响应速度对比

对比结果:

1).   镓芯光电的紫外传感器具有很快的响应速度,上升/下降时间都在亚微秒量级;

2).   韩国G公司的紫外传感器不仅响应速度很慢,且光电流输出极不稳定,只适合非常低端的应用。

4.     性能一致性对比

对比结果:

1).   在各自任选的10个样品中,镓芯光电的紫外传感器具有高度一致的输出光电流信号;而韩国G公司紫外传感器的输出信号一致性很差,未来使用中需要频繁的校准。

2).   镓芯光电紫外传感器的光电流输出随外加偏压变化很小;而韩国G公司紫外传感器的光电流输出随外加偏压的增加出现无序的变化,实际应用中的适用性很差。

结论:

由于拥有更先进的器件制备技术,镓芯光电公司生产的GaN紫外传感器产品在综合性能和一致性方面上全面优于韩国G公司生产的GaN紫外传感器产品。