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氮化镓（GaN）是一种新型的半导体材料，由于具有很大的禁带宽度，对可见光完全不吸收，是最常见的紫外线传感器材料。GaN紫外传感器具有体积小、灵敏度高、抗可见光干扰能力强、功耗低、寿命长等优点。早期的紫外传感器是基于硅材料，但由于硅基光电二极管对可见光有强烈的响应，形成本来不需要的电信号，导致测量精度不高；GaN紫外传感器恰恰克服了硅基光电二极管这一本征限制，其精度远远高于硅基紫外传感器。

型号	光敏面积	响应波段	响应峰值	封装类型	资料下载	备注
GTV-UVC-L	1 mm2	UVC	--	TO39		电压输出
GS-ABC-2835M	0.22 mm2	210-370 nm	0.2 A/W	SMD 2835		高压放电式臭氧发生检测
GS-ABC-5050XLQ	4 mm2	210-370 nm	0.2 A/W	SMD 5050		超大感光面积
GT-ABC-XL	4 mm2	210-370 nm	0.2 A/W	TO39		超大感光面积
GS-UVC-3535SQ	0.09 mm2	250-280 nm	0.052 A/W	SMD 3535		日盲特性极佳
GT-UVV-L	1 mm2	200-440 nm	0.27 A/W	TO46		InGaN基
GS-ABC-3528Q	0.11 mm2	210-370 nm	0.2 A/W	SMD 3528		带石英窗口小尺寸封装
GT-ABC-L	1 mm2	210-370 nm	0.2 A/W	TO46		高可靠性石英窗口封装
GS-ABC-2835S	0.11 mm2	210-370 nm	0.2 A/W	SMD 2835		适合智能穿戴应用
GS-ABC-2016S	0.11 mm2	210-370 nm	0.2 A/W	SMD 2016		适合智能穿戴应用
GS-AB-0603E	0.09 mm2	300-370 nm	0.2 A/W	SMD 0603		超小封装尺寸