氮化镓(GaN)是一种新型的半导体材料,由于具有很大的禁带宽度,对可见光完全不吸收,是最常见的紫外线传感器材料。GaN紫外传感器具有体积小、灵敏度高、抗可见光干扰能力强、功耗低、寿命长等优点。早期的紫外传感器是基于硅材料,但由于硅基光电二极管对可见光有强烈的响应,形成本来不需要的电信号,导致测量精度不高;GaN紫外传感器恰恰克服了硅基光电二极管这一本征限制,其精度远远高于硅基紫外传感器。
  型号 光敏
面积
响应
波段
响应
峰值
封装
类型
资料
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备注
GS-ABC-2835M 0.22 mm2 210-370 nm 0.2 A/W SMD 2835

  高压电式

 臭氧发生检测

 

GS-ABC-5050XLQ 4 mm2 210-370 nm 0.2 A/W SMD 5050

 超大感光面积

GT-ABC-XL 4 mm2 210-370 nm 0.2 A/W TO39

 超大感光面积

GS-UVC-3535SQ 0.09 mm2 250-280 nm 0.052 A/W SMD 3535

 日盲特性极佳

GT-UVV-L 1 mm2 200-440 nm 0.27 A/W TO46

 InGaN基

GS-ABC-3528Q 0.11 mm2 210-370 nm 0.2 A/W SMD 3528
带石英窗口小尺寸封装
GT-ABC-L 1 mm2 210-370 nm 0.2 A/W TO46
高可靠性石英窗口封装
GS-ABC-2835S 0.11 mm2 210-370 nm 0.2 A/W SMD 2835
适合智能穿戴应用 
GS-ABC-2016S 0.11 mm2 210-370 nm 0.2 A/W SMD 2016
适合智能穿戴应用 
GS-AB-0603E 0.09 mm2 300-370 nm 0.2 A/W SMD 0603
超小封装尺寸