常规结构的SiC紫外传感器主要用于工业领域紫外辐射剂量的测量。但是,对于许多核心和新兴应用领域,人们需要实现的是对极微弱紫外信号的快速测量。这就意味着所用半导体紫外传感器器必须具有强烈的增益,满足这一要求的理想器件唯有SiC紫外雪崩光电探测器(APDs)。高性能的APDs可具有纳秒量级的响应速度、1e6以上的增益,甚至可在单光子探测模式下(Geiger模式)工作。

  型号 光敏
面积
响应
波段
击穿电压
(典型)
封装
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备注
SAPD-ABC-S 0.011mm2 210-370nm 170V TO46 可工作于线性及盖革模式